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直接在钛基底上生长氧化镍、氧化钴及其复合物储能材料的方法
编号:S000035269 刷新日期: 有效日期至:2020-11-04 浏览:2173 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 先进储能技术
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了直接在钛基底上生长氧化镍、氧化钴及其复合物储能材料的方法,以阳极氧化法为手段,首先在钛基底表面生成二氧化钛纳米管,再将其浸泡在柠檬酸溶液中进一步提高二氧化钛纳米管的管壁羟基浓度,然后将配置好的过渡金属盐溶液与处理过的钛基底放入反应釜中进行水热反应,最后将反应后的钛基底在N2气氛下焙烧,即得产物,该方法实验条件简单,对实验仪器精密度要求低,操作简单,生长出的产物膜均匀、与钛基底结合稳定且在储能方面的性能优越,因此,该方法适于制备以金属钛为基底的储能材料的。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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