本发明公开了一种高储能密度的铁电膜材料及其制备方法，所述膜材料包括膜和基片，所述膜的组成为xBi(Ni_1/2Ti_1/2)O₃-(1-x)PbTiO₃，其中0.1≤x≤0.55，该膜以Bi(Ni_1/2Ti_1/2)O₃和PbTiO₃陶瓷为基体材料，所述膜的介电常数ε_r为400-900，低介电损耗为2-4%，储能密度为20-50 J/cm³。该膜材料采用在镀铂硅片上沉积形成结构致密、成分均匀的铁电薄膜。该膜材料具有优良的介电、铁电性能，高击穿场强和高储能密度，相比目前实际应用的电容器的储能密度高出一个数量级，在高温高功率器件中有很大的潜在应用前景，可以作为高功率大容量电容器开发和应用的关键材料。