本发明提供了一种新型电池的制备方法，其通过在硅片的正面和背面分别形成正电荷膜层和负电荷膜层而制成晶体硅太阳能电池，所述正电荷膜层通过PECVD镀膜工艺而形成，其中，所述负电荷膜层通过依次进行PECVD镀氮化硅减反射膜、印刷银浆栅、烧结和导入负电荷而形成，所述导入负电荷的方法为：将烧结完成的电池片背面向上放置在放电装置台上，开启电源，在正向电晕放电的作用下，沉积正电荷于背面PECVD膜层表面，通过电子隧道效应，将负电荷吸引至背面PECVD膜层中，从而导入负电荷，然后去掉背面PECVD膜层表面的正电荷。此方法成功导入稳定的负电荷，并同于背面钝化。用此种方法制得的电池背面钝化效果优良，使电池的开路电压和短路电流都得以提升，从而实现了效率的提升。