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> 技术详情
一种双面异质结太阳电池的制备方法
编号:S000033750
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-01
浏览:
2534
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种双面异质结太阳电池及制备方法,包括硅片基体层,所述硅片基体层背面从内到外依次具有本征层、重掺杂BSF层以及背电极,硅片基体层的正面具有平行设置呈倾斜状的槽体,槽体斜面上分别设有本征硅薄膜和p型硅薄膜层,在p型硅薄膜层上设有作为正面电极的透明导电薄膜,透明导电薄膜和槽体底面上分别设有薄膜减反层,硅片基体层表面还具有与透明导电薄膜电性连接的银浆层。本发明由于电极采用倾斜设置,p型硅薄膜层又设置在槽体倾斜面上,使得p型硅薄膜层与电极之间成倾斜接触,充分利用了槽体倾斜面垂直投影面积较小的优点,从而减小正面电极对整个电池的遮光损失,有效地改善了电池的光谱响应,有利于电池整体性能的提高。
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认证方式:
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