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两步退火辅助氯化镍诱导晶化非晶硅薄膜的方法
编号:S000033741 刷新日期: 有效日期至:2020-11-18 浏览:2478 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及两步退火辅助氯化镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法,属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜;将溶有氯化镍的乙醇溶液加入到乙基纤维素、酒精、甲苯的混合溶液中,得到粘稠的溶液并将其旋涂在非晶硅薄膜表面,随后在400oC~450oC退火1~2小时先形成NiSi2作为晶种层,再升温到500oC~550退火1~4小时诱导晶化。经过两步退火后可获得晶化率在80%左右,晶粒大小在200nm左右的多晶硅薄膜。和常规物理法金属诱导的方法相比,所制得的多晶硅薄膜更加均匀且金属残余污染更小,因此用本发明制备的多晶硅薄膜可适用于薄膜晶体管、太阳能电池等微电子制造领域。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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