用户登录
用户注册
English
技术供应
>技术供应
>技术需求
>协作成员
>专家委员
>新闻资讯
首页
中心简介
新闻资讯
工作动态
行业资讯
特别关注
热点视频
技术供应
技术需求
协作成员
专家智库
专家咨询委员会
数字展会
成功案例
配套服务
下载中心
《中阿科技论坛》
您当前的位置:
首页
>
供应列表
> 技术详情
一种掺杂多孔硅球的制备方法
编号:S000033721
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-12
浏览:
2284
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种掺杂多孔硅球的制备方法,该方法包括:选用一定掺杂浓度的硅球,氢氟酸清洗后,先用硝酸盐和氢氟酸,辅助超声后再用氢氟酸和氧化剂配制的溶液在一定的时间和温度条件下反应,再经离心清洗,最后通过硝酸清洗等后处理制备纳米多孔硅球。本发明通过大量实验筛选出最佳的反应溶液的种类、最佳浓度,各组份的最佳配比和反应温度和反应时间,超声的最佳频率及处理时间。整个制备方法,工艺设计合理,可操作性强,生产成本低廉,生产效率高,可大规模工业化生产。本发明制备得到的高纯度的掺杂多孔硅球,孔形规则,布置均匀,呈蜂窝状,球形规整,可广泛应用于锂电池、太阳能电池、半导体和传感器等领域。
分享到:
申请对接
收藏此供应
推荐给好友
穿越到手机
联系方式
在线QQ:
机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
查看地图
China-Arab States Technology Transfer Center
认证方式:
相似供应
具有黄铜矿结构的Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体及其制备工艺
所在区域:中国
转让类型:
合作研发
用于从基部基底受控地移除半导体器件层的方法
所在区域:中国
转让类型:
合作研发
一种手持式半导体激光主动夜视仪红曝消除方法
所在区域:中国
转让类型:
合作研发
具电介质帽盖于接触件上的半导体设备及相关的制造方法
所在区域:中国
转让类型:
技术转让