本发明涉及太阳能光伏应用领域，特别是一种多步生长法制备微晶硅薄膜的方法。第一步刻蚀其特征在于用氢等离子体处理2-4min，H2流量为15 sccm，得到籽晶层后，使用第一步的生长方法、工艺参数继续第二步生长得到微晶硅薄膜。随后用氢等离子体处理1-2min，H2流量为10 sccm，继续使用第一步生长方法得到微晶硅薄膜，此时工艺参数为SiH4流量为5sccm，H2流量为10 sccm，衬底温度为200-220℃，微波功率450W，沉积时间1h-1.5h。本发明经过多步的等离子体增强化学气相沉积和高纯度H₂放电刻蚀，可成功制备高质量，几乎完全不含非晶孵化层的微晶硅薄膜，大大提高了薄膜的纵向均匀性和晶化率。