本发明涉及太阳能级多晶硅领域中的一种提高多晶硅棒切片率预处理工艺，由金属晶托作为承载多晶硅棒的基底，在其顶面均匀涂抹一层均匀且厚度约为0.5-1mm的玻璃粘合胶；在玻璃粘合胶上放置一块厚度约为13-17mm厚的双面磨砂的玻璃基板，在玻璃基板上涂抹一层均匀的硅块粘合胶；在硅块粘合胶上放置两块已开方且侧面抛光的多晶硅棒，其前后端与晶托首尾保留9-12mm的间隙，两多晶硅棒之间缝隙为4-9mm；在多晶硅棒顶面且与长侧边平行粘贴两根宽度为20-25mm，间隔为80-85mm的长方形树脂条，与晶棒前后端保留3-7mm的宽度。有益效果：本技术提高了线切割的精确度，碎片率较传统工艺降低50%，提高了切片效率。