一种室温下制备晶态氧化铟透明导电薄膜的方法，它涉及制备晶态氧化铟透明导电薄膜的方法，本发明要解决采用现有方法制备具有晶态性质的氧化铟薄膜时，存在设备价格高和制备过程复杂不易控制的问题。本发明中一种室温下制备晶态氧化铟透明导电薄膜的方法按以下步骤进行：一、清洗基底材料，安装靶材，抽真空；二、反溅清洗基底材料；三、沉积氧化铟薄膜；四、加负偏压对已沉积氧化铟薄膜进行反溅轰击；五、重复步骤三和步骤四，直至此循环过程达到2次至8次；六、关闭所有电源，完成室温下晶态氧化铟透明导电薄膜的制备过程。本发明可应用于显示器和太阳能电池的电极。