本发明涉及一种用于高效晶硅太阳电池制作的表面湿法处理工艺，具有以下步骤：（1）预清洗；（2）硅片去损伤减薄：硅片上、下表面呈现抛光状；（3）镀膜保护：在硅片的单一表面沉积保护膜；（4）表面织构化：硅片未有保护膜的表面获得深度为4～10μm金字塔绒面构造，同时硅片另一面具有保护膜的表面保持平面状；（5）去除保护膜（6）RCA清洗（7）表面形貌增强优化及形成湿法钝化表面。本发明不仅能简便地满足高效电池制作过程中对薄硅片衬底的单面清洗制绒的要求，有效提高清洗工艺质量及电池效率和良率，而且无需额外增加相关清洗设备，从而节省工艺成本。