一种制备CIS薄膜的方法，属于薄膜太阳能电池材料的制备技术领域。首先制备油胺包覆的单分散CuInS₂纳米晶，然后用吡啶置换纳米晶表面的油胺分子，并分散在氯仿或甲苯中，在镀钼玻璃上进行涂膜，采用固态硒源硒化法对CuInS₂纳米晶薄膜进行硒化退火处理以制备大晶粒CuIn(SSe)₂薄膜。利用本发明提供的方法可以得到大晶粒的CIS薄膜。本发明属于非真空涂覆制膜工艺，工艺简单，可大规模制备，节约了成本。