本发明涉及一种低温制备六方相ZnS薄膜的工艺方法。利用CdS六方相结构的特点，通过在蓝宝石衬底上先沉积CdS薄膜层，利用CdS作为缓冲层有效地解决了ZnS薄膜与衬底之间的晶格失配问题，利用此方法在低温下诱导六方相ZnS薄膜的生长，制备出六方相ZnS薄膜。该技术解决了在低温下用传统化学方法难以制备六方相ZnS薄膜的问题。本工艺方法制备的ZnS/CdS交替薄膜层相互之间以及底层与蓝宝石衬底之间粘合致密，且薄膜结晶质量高，均匀性好，透光率可达85%以上，可以作为太阳能薄膜电池的缓冲层或窗口材料；同时本产品在500nm处有很强的发光峰，也可用于研制高亮的绿光发光器件。