本发明涉及太阳电池的生产技术领域，具体涉及一种用于提升PECVD镀膜均匀性的装置，包括沉积腔、射频电极和进气系统，还包括设置于沉积腔下方的真空系统，沉积腔为管式真空腔体，进气系统采用纵向进气的方式，包括位于沉积腔一侧的进气装置。本发明的进气方式由原来的沉积腔横向进气改为纵向进气，出气方式改为沉积腔体上设置一出气口的出气方式，这样既提升了薄膜的性能，还有效的提高了PECVD薄膜制备过程中对工艺气体的利用率。