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含纳米硫化铜铝的孤立膜的制备方法
编号:S000033543 刷新日期: 有效日期至:2020-12-13 浏览:2364 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 浙江 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了含纳米硫化铜铝的孤立膜及制备方法。孤立薄膜的基质为有机改性硅醇盐甲基三乙氧基硅烷(MTES)与γ-(2,3-环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷(KH560)经水解与聚合后而成的SiO2/有机基团复合材料,用于近红外吸收的纳米粉体为黄铜矿结构CuAlS2。该粉体通过超声雾化法制得。将硫化铜/硫化铝混合溶液与硫化钠溶液进行接触反应,生成CuA1S2。粉体经过湿磨与干磨等粉体处理,然后分散于十六烷甲基溴化铵溶液中,再与MTES/KH560复合,然后涂覆于洁净的涤纶衬底膜表面上,制得含纳米CuAlS2无支撑厚膜。本发明是工艺简单、成本低廉、操作方便、合成效率高、可望用于太阳能热屏蔽与专业红外吸收材料上。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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