本发明涉及一种基于竖直微气孔的Si与GaInAs低温键合方法，包括将Si衬底和GaInAs外延片经抛光、在400℃以下键合成一体的制备过程，其特点是：所述Si衬底键合的面上制备出竖直微气孔阵列。本发明由于在Si衬底的键合面上制备了竖直微气孔阵列作为通道，Si衬底与GaInAs外延片低温键合时，出现的微孔洞、微气泡随着键合时的压力进入作为通道的竖直微气孔中，避免了Si衬底与GaInAs外延片低温键合时接触面之间出现的微孔洞、微气泡，有效提高了太阳电池的性能。