本发明公开了一种镓酸铋铁电薄膜材料及其制备方法，其薄膜材料生长在衬底材料上，镓酸铋分子式为BiGaO₃，衬底为Si、LaNiO₃/Si、Pt/TiO₂/SiO₂/Si、Pt/Ti/SiO₂/Si其中之一；薄膜材料的空间群为Pcca，晶格常数为a=5.626?，b=5.081?，c=10.339?；所述的BiGaO₃薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为（112）；制备方法是按铋∶镓为1.1∶1的摩尔比，称量硝酸镧和醋酸镧后，以乙酸为溶剂，在温度为60℃下充分搅拌后得到无色澄清溶液。接着将所得溶液置于衬底上旋涂成膜，在快速退火炉中退火，重复上述过程数次，得到所需厚度的镓酸铋薄膜材料。该材料在光伏太阳能电池和信息存储等领域具有广阔的应用前景。