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一种用于制备半导体膜的化学浴沉积方法及其反应器
编号:S000033497 刷新日期: 有效日期至:2020-09-30 浏览:2168 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供了用于在平面衬底上制备薄膜的化学浴沉积方法和反应器。具体地,它们对于沉积硫化镉或硫化锌以制造薄膜太阳能电池是尤其有用的。本方法及其沉积系统将薄膜沉积于由传送带所传送的垂直行进的平面衬底上。通过连续地喷淋从新鲜混合类型到逐渐老化形式的反应溶液直至获得预期厚度,而沉积薄膜。衬底和溶液均被加热到一反应温度。在沉积过程中,衬底的前表面完全被喷淋的溶液所覆盖,但衬底背面保持干燥。在反应器内部的反应环境可与外部环境隔绝。该设备被设计以产生最少量的需经化学处理的废液。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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