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一种制备二氧化钛纳米花阵列薄膜的方法
编号:S000033492 刷新日期: 有效日期至:2020-10-07 浏览:2241 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 浙江 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开的制备二氧化钛纳米花阵列薄膜的方法,其步骤如下:将氢氟酸、硝酸与去离子水混合,配得酸洗液;在双氧水溶液中添加三聚氰胺和硝酸,得反应液;金属钛板表面经酸洗液酸洗,浸没于反应液中进行反应,反应后的钛片用去离子水清洗,干燥,浸入pH值到1.0~2.8热水中,反应60~90小时后取出,用去离子水清洗,干燥,即可。本发明方法简便易行,完全避免了后续热处理过程引起的晶粒长大及比表面积下降现象,制备过程不需要模板和催化剂,无污染,成本低,得到的薄膜与钛基板结合牢固,结晶度好,光催化活性高,可广泛应用在光催化、光电催化、薄膜太阳能电池、气体传感器、生物材料等众多领域。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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