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一种窄带隙聚噻吩类衍生物的合成方法
编号:S000033443 刷新日期: 有效日期至:2020-10-22 浏览:2208 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 江苏 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种窄带隙聚噻吩类衍生物的合成方法,它是通过两种不同的噻吩类衍生物单体按照一定的配比溶解在有机溶剂中,在无水无氧以及一定的温度条件下,经催化剂活化单体,引发聚合,待充分聚合后,将产物经过分离提纯,得到目标产物。本发明合成路线简洁,操作简单,经济有效,避免了环境不友好的有机金属中间体的合成,且制备的窄带隙聚噻吩衍生物可被广泛应用于如有机薄膜太阳能电池(OPVs)、有机薄膜场效应晶体管(OFETs)等光电器件之中。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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