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硅锭底部晶粒均匀成核的方法
编号:S000033393 刷新日期: 有效日期至:2020-10-22 浏览:2277 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 河北 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种硅锭底部晶粒均匀成核的方法,涉及制备具有一定结构的均匀多晶材料的方法技术领域。包括以下步骤:(1)对多晶硅铸锭炉内的热场进行改造,在多晶硅铸锭炉的石英坩埚与石墨底板之间铺设石墨片;(2)加热,利用加热器对石英坩埚内的硅料进行加热;(3)熔化,控制坩埚内的温度对硅料进行熔化处理;(4)长晶,控制多晶硅铸锭炉内的温度和时间进行长晶处理;(5)退火;(6)冷却。使用所述方法制造的硅锭,晶体的晶粒大小更为均匀,杂质分布也更为平均,缺陷密度进一步降低,最终有效提高太阳能电池的光电转换效率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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