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Cu/ZnO/Al光电透明导电薄膜的沉积方法
编号:S000033366 刷新日期: 有效日期至:2020-11-13 浏览:2385 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 辽宁 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种Cu/ZnO/Al光电透明导电薄膜的沉积方法,属透明导电材料领域。本发明一种按照以下步骤进行:(1)将基片用丙酮、乙醇以及去离子水用超声波依次清洗后,用氮气吹干送入反应室;2)磁控溅射Al膜的沉积;(3)有机物化学气相沉积制备中间层ZnO薄膜:(4)磁控溅射Cu膜的沉积:(5)对Cu/ZnO/Al的多层结构的透明导电薄膜进行高温退火,退火温度为100~400℃,退火时间为30min,得到Cu、Al共同掺杂的ZnO光电透明导电薄膜。本发明制备工艺简单,沉积过程易于控制。本发明制备的透明导电薄膜均匀性好,光电性能优异,电阻率可低至8.0×10-4Ω·cm,而其透光率可达82%以上。可用于制造太阳能电池、发光二极管、LCD以及手机等光电器件的透明电极。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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