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硅光电池纳米织构化P-N结结构及其制作方法
编号:S000033322 刷新日期: 有效日期至:2020-10-04 浏览:2429 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种硅光电池纳米织构化P-N结结构及其制作方法,该方法包括:在硅片表面生长一层氯化铯薄膜;将表面具有氯化铯薄膜的硅片放入一定湿度的通气腔体内显影,在硅片表面形成氯化铯纳米圆岛结构;对表面具有氯化铯纳米圆岛结构的硅片进行等离子体刻蚀,将获得的氯化铯纳米圆岛结构转移成硅纳米柱状结构;采用热扩散的方法对硅纳米柱状结构进行三氯氧磷扩散,并控制扩散深度,形成体向或径向P-N结结构。利用本发明,具有低成本和较强的工艺适应性能,能够在不同硅表面上生长和完成。该纳米织构化P-N结结构可以有效地减小来自各个角度的入射光的反射,增加对入射光的吸收,提高太阳电池的光电转换效率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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