本发明属于透明导电材料领域，具体涉及一种ZnO/Al/ZnO光电透明导电薄膜的沉积制备方法。本发明方法是将玻璃基片清洗送入气相沉积反应室，向反应室内同时通入携带有Zn(CH₂CH₃)₂的氩气和氧气，沉积制备20-50nm厚的ZnO薄膜，然后将基片置于磁控溅射室中，以纯Al为靶材进行磁控溅射，溅射5-30nm厚的Al膜，再将基片转移至气相沉积反应室中，再次沉积制备20-50nm厚的ZnO薄膜，对上述基片于100-400℃高温退火，得到结构为ZnO/Al/ZnO的光电透明导电薄膜。本发明制备工艺简单，沉积过程易于控制。本发明制备的透明导电薄膜均匀性好，光电性能优异，可用于制造太阳能电池、发光二极管、LCD以及手机等光电器件的透明电极。