本发明提供一种超声喷印法制备三碘化铯锡薄膜的方法，包括以下步骤：S11，配置CsI溶液，所述CsI溶液的浓度为5wt％至50wt％；S12，配置SnCl₂溶液，所述SnCl₂溶液的浓度为10wt％至80wt％；S13，利用超声喷印系统将所述CsI溶液喷印到基底上；S14，利用超声喷印系统将所述SnCl₂溶液喷印到所述基底上；S15，加热所述基底至干燥，在所述基底上形成三碘化铯锡薄膜。本发明超声喷印法制备三碘化铯锡(CsSnI₃)薄膜的方法，在玻璃、陶瓷和金属箔等大面积基底上合成薄膜，不需要基于真空手段就能合成CsSnI₃薄膜的方法，该合成或沉积方法是基于水基前驱体溶液的超声喷印沉积，可显著降低成本，使这种薄膜作为新的太阳能电池吸收材料将得到广泛的应用。