本发明公开了一种基于金属钌修饰的多孔硅表面金属电极制备方法，属于半导体光电子材料与器件技术领域，其包括以下步骤：①对多孔硅进行金属修饰前处理；②使用氯化钌的酸溶液修饰多孔硅；③对金属钌修饰后的多孔硅进行干燥处理；④在金属钌修饰后的多孔硅表面沉积金属电极；⑤快速退火；光刻形成指定电极形状。本发明利用贵金属修饰的原理，经过氧化处理，在多孔硅表面形成一层金属钌颗粒和氧化硅的过渡层，再蒸镀金属电极，可提高多孔硅与金属电极间的电接触质量，降低多孔硅与金属电极的接触电阻。本发明可用于基于多孔硅的光电探测器和太阳能电池，能有效提高器件的响应速度和光电转换效率，且制备工艺简单、成本较低。