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> 技术详情
柔性F掺杂SnO
2
透明导电薄膜及制备方法
编号:S000033287
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-13
浏览:
2482
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 山东
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种柔性F掺杂SnO
2
透明导电薄膜及制备方法,制备方法为:(1)取SnO
2
和SnF
2
粉体,混合均匀压制成板,升温,制备成F掺杂的SnO
2
靶材;(2)将清洁的聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底用氮气吹干放在磁控溅射仪样品台上;将F掺杂的SnO
2
靶材放在靶头上;(3)在真空条件下,加热衬底;(4)向磁控溅射仪中通入氧气和氩气作为溅射气体,溅射沉积,得到柔性F掺杂SnO
2
透明导电薄膜。本发明的薄膜透明性高,表面平整,颗粒均匀,电阻率适中,稳定性好,电学性能优良,为太阳能电池和透明显示设备的开发和应用提供了优良的基础。本发明的制备方法工艺流程简单,成本低,制备过程中不使用重金属,无污染。
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