本发明公开了一种用于太阳能电池的量子点敏化宽禁带半导体电极的制备方法，该方法包括以下步骤：首先在FTO导电玻璃上制备宽禁带半导体电极(如TiO₂、ZnO、SnO₂等)；然后以此电极为阴极，以惰性电极为阳极，将阴极和阳极置于配置好的电解液中，并向阴极施加一个恒电流，通过氧化还原反应析出量子点吸附在宽禁带半导体电极表面；最后通过逐层离子吸附与反应法(SILAR)在制备好的量子点敏化电极上包覆一层ZnS钝化层。本发明的优点在于操作简单，制备时间短，可控性强；通过对电化学参数的优化可以实现量子点在半导体电极表面的均匀生长；同时ZnS钝化层的存在抑制了光生电子的复合，有效提高了电池性能。