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一种冶金法提纯工业硅的工艺
编号:S000033139 刷新日期: 有效日期至:2020-10-07 浏览:2319 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 广东 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种冶金法提纯工业硅的工艺,包括以下步骤:1)将工业硅块置于真空环境中加热至其熔化,并保持该温度40-80min以精炼硅块;2)在上步的真空环境中导入含氧气、水蒸气的保护气氛以使得保护气氛中的氧气、水蒸气与硅块中的杂质充分反应,保护气氛的导入流量为50-100ml/min;此步中,工业硅块依然处于熔化状态;3)将上步得到的硅液骤冷,形成碎晶;4)将碎晶破碎、球磨,再用酸浸泡、水洗涤、干燥即可。本工艺流程简单,能耗低,同时无需引入任何金属氧化物造渣剂,避免了造渣剂带来的二次污染;并可将工业硅纯化至太阳能级多晶硅。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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