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一种提高产业化硅薄膜电池组件性能的制备方法
编号:S000033082 刷新日期: 有效日期至:2020-11-07 浏览:2077 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 河北 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种提高产业化硅薄膜电池组件性能的制备方法,采用预沉积非晶硅薄膜来降低产业化硅薄膜电池的污染问题,属于薄膜太阳能电池生产技术领域。技术方案是:在硅薄膜电池制备方法的等离子体清洗/沉积工序中引入预沉积非晶硅薄膜工艺,反应腔室经过氟等离子体刻蚀清洗后,采用等离子增强化学气相沉积工艺,控制辉光功率和硅烷浓度,预沉积非晶硅薄膜,降低残留在反应腔室内的氟、硫或氧浓度,进而提高产业化硅薄膜电池组件的光电转换效率。本发明不需要停止设备,不影响系统的嫁动率,又降低了污染,同时有效提高电池效率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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