本发明公开了一种高度取向的ZnO纳米锥阵列的湿化学生长方法，采用旋涂镀膜法将ZnO溶胶涂敷在基底上，经热处理制备一层均匀的纳米级ZnO晶种层；用KOH和Zn(NO₃)₂配制ZnO阵列生长液；将基底生长面（即含有晶种层的面）悬空倒扣浸没于上述生长液中，在20～50℃水浴条件下，反应1～12h，在所述的基底上制备ZnO纳米锥阵列。该方法具有设备及工艺简单、易操作、成本低和适合工业化生产等优点。本发明制备出的ZnO纳米锥阵列具有高度致密、粗细均匀、取向性好、平整度高、性能稳定、与基底结合牢固等特点，在超疏水表面、探测器、压电变频器、紫外激光和太阳能电池等方面有广阔的应用前景和巨大的市场效益。