本发明涉及一种提纯多晶硅去除硼和金属杂质的方法，尤其是涉及一种电子束炉熔炼多晶硅除硼和金属杂质的方法，其特征在于：该方法为首先对硅块原料进行酸洗、水洗，然后在高温电阻炉内进行高温增氧预处理，将处理后的硅料装入三枪电子束炉内进行熔炼，熔炼结束，待硅锭降温至室温，取出硅锭，去掉表皮和底端层，用硬质合金锤轻敲掉铸锭上端芯部金属杂质富集的疏松层，即得太阳能级多晶硅；本发明方法独特、不仅能够除磷和钙、钠等金属，除硼和铁、铜等金属杂质效果也很明显，除杂效率高，产量大，经济效果显著。