本发明涉及一种具有(220)取向的铜铟镓硒薄膜制备方法，其技术方案主要是：A：清洗基片，B：预溅射；C：溅射沉积薄膜：保持溅射功率为5W/cm²，基片温度为320-380℃，并将氩气气压调节为1.0～4.0Pa进行10分钟的溅射；之后将氩气气压降低至0.5Pa，并在基片上施加20～30V的偏压，进行2小时的溅射，即得到具有(220)取向的铜铟镓硒薄膜。该方法用磁控溅射方法制备出的CIGS薄膜取向为(220)，用作铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的吸收层，能有效降低晶界处的“电子-空穴”复合，提高电池转换效率。且其制备工艺简单、成本低，制备过程中无毒无污染，适合于工业化生产。