本发明公开了一种冶金法除硼、磷提纯工业硅的方法，包括以下步骤：1）将工业硅块置于真空环境下加热至硅完全熔化，并保持该温度40-80min以精炼硅块；2）在步骤1）的真空环境中导入含氧气、水蒸汽的保护气氛以使得保护气氛中的氧气、水蒸汽与硅块中的杂质充分反应，保护气氛的导入流量为50-100ml/min；此步中，工业硅块依然处于熔化状态；3）将上步的环境降温至工业硅块处于固态得到硅锭，切除该硅锭的渣相层即可。本工艺流程可以纯化各种型号的工业硅，且无需对样品进行粉碎球磨，只需简单的破碎，对样品尺寸要求较宽；本工艺无需任何酸洗步骤，避免了大量强腐蚀性酸的使用，简化了工艺，降低了成本；本工艺可以将磷、砷、锑、钙等杂质去除到满足太阳能级多晶硅要求；硼杂质降低至1.5-0.3ppmw，满足太阳能级多晶硅标准。