本发明公开了一种生长氧化锌纳米线阵列的制备方法。该方法采用原子层沉积技术在基片上制备氧化锌种子层，再通过化学溶液法以水溶性锌盐作为前驱体，以三乙醇胺，或二乙醇胺作为表面修饰剂，在碱性条件下在基片上形成ZnO纳米线阵列，该方法操作简单，生长的纳米线直径小，适合在气敏传感器、太阳能电池光阳极等领域中应用。