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一种Pt/硅纳米阵列结构复合材料及其制备方法
编号:S000032849 刷新日期: 有效日期至:2020-12-12 浏览:2399 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种Pt/硅纳米阵列结构复合材料及其制备方法。Pt/硅纳米阵列复合材料的Pt为簇状,硅纳米阵列为规则孔状或线状,Pt位于所述硅纳米阵列顶端。Pt/硅纳米阵列结构复合材料的制备方法是通过调整电化学参数控制材料的微观形貌结构,本发明提供一种多电位阶跃法沉积金属,加快了光生载流子的转移速率,减少缺陷的形成,提高了光电转化效率,增强了太阳能的利用率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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