本发明公开了一种一维ZnO/SnO₂核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法。该方法采用热蒸发法在一维ZnO纳米材料上包覆SnO₂制备一维ZnO/SnO₂核壳结构纳米异质结半导体材料。该方法重复性高、可控性强、环境友好，且SnO₂包覆均匀。制备出的ZnO/SnO₂一维核壳结构纳米异质结材料在太阳能电池、气体传感器以及光催化等领域中具有广泛的研究价值和应用前景。