本发明涉及用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物和纹理蚀刻方法。所述用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物包括碱性化合物；多糖；与多糖一起的最佳含量的硅化合物，以在晶体硅片的表面上均匀地形成具有微锥体结构的纹理，进而在降低光反射的同时最大化太阳能的吸收，从而提高发光效率。