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N型金刚石半导体单晶及其生产方法
编号:S000032717 刷新日期: 有效日期至:2020-12-31 浏览:2487 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 河南 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种N型半导体金刚石单晶及其生产方法。在晶体内含有规则排列的氮、锂和铍原子,其中氮-锂原子对、氮-铍原子对和锂-氮-铍原子对的总量在100-10000ppm之间,半导体单晶的尺寸为0.3-10mm,晶体为正六面体、正八面体或六-八面体。生产时将石墨粉、金属催化剂、氮化锂、氮化铍按比例混合,加压到100-300MPa冷等静压处理,泄压后将混合料破碎后放入模具中压制成圆柱形合成柱,真空烧结,装入合成块,在高温高压定向磁场中处理;将合成柱破碎,经电解、摇床分离,得到N型半导体金刚石单晶。本发明单晶导电性较好,光热转换效率高,适合于太阳能电池、LED光源、高性能芯片的制作,产品性能稳定。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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