本发明公开了一种“仙人掌”微纳二级阵列结构及其制备方法和用途。该微纳二级阵列是由纳米尺寸的Cu₂S纳米线生长在微米尺寸的Cu₂S球冠表面，Cu₂S球冠又周期性的分布在衬底的表面形成的。本发明的Cu₂S“仙人掌”微纳二级阵列，相比于普通的平面纳米线阵列，进一步增大了比表面积，增大了载流子产生的几率，同时，当入射光角度发生改变时，由于纳米线和光线的相对位置变化较小，光吸收变化较小，使其光吸收在较广的光入射角度内保持优良的性能。在太阳能领域应用时，可以避免随着太阳位置改变性能降低，或需不断随光照角度变化而改变器件角度，导致器件结构的复杂性及成本的增加。