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一种基于LSP效应陷光增效减反射结构的制备方法
编号:S000032643 刷新日期: 有效日期至:2020-10-23 浏览:3120 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明属于太阳能电池技术领域,特别涉及一种基于LSP效应陷光增效新型减反射结构的制备方法。本发明先利用碱刻蚀在单晶硅表面刻蚀出锥体形貌,然后利用溅射-退火手段在锥体表面沉积一层非连续的银纳米颗粒的方法,得到了由银纳米颗粒与锥体结构复合的新型陷光结构。本发明结构在全太阳光谱范围内比单纯的锥体结构反射率降低3.4%。本发明采用了简单实用的硅片清洗与银纳米颗粒溅射沉积工艺过程,提出了一种更为有效的陷光结构的制备方法,利用常温湿法刻蚀手段,结合LSP效应,获得了比传统碱性刻蚀所得结构更高的减反射效果,该方法的设计与制备工艺为提高硅及硅薄膜太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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