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> 技术详情
一种在ITO导电薄膜表面刻蚀极细电隔离槽的方法
编号:S000032557
刷新日期:
有效日期至:
2021-01-03
浏览:
2252
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 陕西
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种在ITO导电薄膜表面刻蚀极细电隔离槽的方法,首先在ITO导电薄膜玻璃基底的反面溅射金属铬;将ITO导电薄膜玻璃基底固定在载物台上,有金属铬的一面在激光发射区域一侧,保持ITO导电薄膜一侧需要刻槽的区域不接触载物台;最后,利用皮秒激光进行后向刻蚀ITO导电薄膜,皮秒激光光束中心线必须与ITO导电薄膜表面保持垂直,而且皮秒激光的焦点位置在整个加工过程中须保持在ITO导电薄膜层上,本发明有效缩小薄膜太阳能电池中ITO薄膜表面槽宽,又保证皮秒激光加工的效率,提升薄膜太阳能电池制造的整体水平。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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