本发明属于硅基LED与太阳能电池技术领域，特别涉及一种基于LSP效应制备“弹坑状”多孔硅结构的方法。本发明采用单面抛光的P(111)单晶硅片，先通过溅射-退火手段在表面形成一层非连续的Ag纳米颗粒，然后利用一定波长激光照射酸刻蚀硅过程，在表面制备出“弹坑状”多孔硅结构方法。本发明首次把激光照射Ag纳米颗粒表面激发的局域表面等离子激元效应与传统的酸刻蚀技术相结合，采用了完备、简单、实用的硅片清洗与溅射-退火银纳米颗粒沉积的工艺过程，这种全新的制备方法为研发新型多孔硅材料提供了一种有效的技术手段，同时也为硅基LED及太阳能电池的开发提出了新思路。