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一种具有高导电性的减反射膜及其制备方法
编号:S000032452 刷新日期: 有效日期至:2020-09-30 浏览:2036 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 浙江 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种可用于太阳电池的高导电性减反射膜及其制备方法,其中,高导电性的减反射膜为双层膜,底层为腐蚀并经过氢等离子处理过的n型导电ZnO薄膜,顶层为SiO2薄膜。本发明还提供该减反射膜的制备方法,包括如下步骤:1)使用射频磁控溅射技术在衬底上制备n型导电ZnO薄膜,2)将ZnO薄膜在一定浓度的稀盐酸下进行腐蚀,3)将腐蚀过的ZnO薄膜进行氢等离子处理,4)在ZnO基薄膜的表层溅射SiO2薄膜。本发明的减反射膜采用射频磁控溅射法制备,具有生长速度快、膜厚均匀性好、导电性能好的优点,可以降低太阳电池对太阳光的反射率,从而提高太阳电池的转换效率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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