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> 技术详情
一种具有高导电性的减反射膜及其制备方法
编号:S000032452
刷新日期:
有效日期至:
2020-09-30
浏览:
2255
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 浙江
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提供一种可用于太阳电池的高导电性减反射膜及其制备方法,其中,高导电性的减反射膜为双层膜,底层为腐蚀并经过氢等离子处理过的n型导电ZnO薄膜,顶层为SiO
2
薄膜。本发明还提供该减反射膜的制备方法,包括如下步骤:1)使用射频磁控溅射技术在衬底上制备n型导电ZnO薄膜,2)将ZnO薄膜在一定浓度的稀盐酸下进行腐蚀,3)将腐蚀过的ZnO薄膜进行氢等离子处理,4)在ZnO基薄膜的表层溅射SiO
2
薄膜。本发明的减反射膜采用射频磁控溅射法制备,具有生长速度快、膜厚均匀性好、导电性能好的优点,可以降低太阳电池对太阳光的反射率,从而提高太阳电池的转换效率。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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