本发明属于薄膜太阳电池技术领域的一种薄膜太阳电池Ag/Al芯壳复合纳米颗粒陷光结构的制备方法。本发明的方法采用磁控溅射结合原位退火的方式制备了Ag/Al芯壳复合结构纳米颗粒陷光结构。磁控溅射法制备金属纳米颗粒简单易行且重复性好。因此，非常容易通过工艺参数如薄膜厚度和退火温度的改变，制备不同形貌、不同芯壳尺寸及不同表面覆盖率的Ag/Al芯壳复合结构纳米颗粒。通过对上述参数的改变，可以有效调节纳米颗粒的光学性能，展宽其消光谱峰。其消光峰位在350～700nm范围可调，消光谱半高宽显著展宽，且用做非晶硅薄膜太阳电池陷光结构，可以极大地提高太阳电池的光电转换效率。