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> 技术详情
一种氧化铝不鼓泡的背面点接触电池及其制备方法
编号:S000032406
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-16
浏览:
2226
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种氧化铝不鼓泡的背面点接触电池,包括:氧化铝层和保护膜;所述氧化铝层和保护膜之间设有一层缓冲层。本发明通过设置一层缓冲层缓解了烧结过程中氧化铝中的应力,消除氧化铝的鼓泡问题,限制了太阳能电池性能的衰减。本发明还公开了电池的制备方法,只需在氧化铝钝化膜的表面生长氧化硅缓冲膜,即可消除氧化铝的鼓泡问题,可操作性强。
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