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一种不含碳层的CZTS或者CZTSe薄膜的非真空制备方法
编号:S000032314 刷新日期: 有效日期至:2020-10-21 浏览:2026 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 湖南 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种不含碳层的CZTS或者CZTSe薄膜的非真空制备方法,属于薄膜太阳能电池制备技术领域。本发明的实施步骤为:将CZTS或CZTSe前驱体液,均匀地涂敷在衬底上得到湿膜;在氮气或惰性保护气氛下,对湿膜进行热分解,得到非晶干膜后,对非晶干膜进行退火处理,得到一层无碳层的多晶薄膜;在所述的无碳层多晶薄膜上继续涂敷湿膜,重复上述步骤,直至得到成品。本发明是进一步提高CZTS或者CZTSe薄膜太阳能电池光电转换效率的有效途径。本发明,制备工艺简单,所需的设备为常用设备,成本低,便于工业化生产,所得产品性能优良,具有很好的市场前景。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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