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一种石墨烯/硅太阳电池及其制造方法
编号:S000032245 刷新日期: 有效日期至:2020-12-29 浏览:2260 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 浙江 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种石墨烯/硅太阳电池及其制造方法,该石墨烯/硅太阳电池自下而上依次有背面电极、p型硅层、n型硅层、n型掺杂的石墨烯层和正面电极,石墨烯掺杂载流子浓度不低于1012cm-2。其制造包括:先将p型硅片浸入化学制绒液中,使其表面形成绒面结构;然后将制绒后的样品通过磷扩散或磷离子注入进行磷掺杂形成n型硅层;再将n型掺杂的石墨烯转移至磷掺杂n型硅层上;在p型硅层上制作背面电极;在n型掺杂的石墨烯上制作正面电极。本发明的石墨烯/硅太阳电池利用石墨烯材料能提高太阳电池的开路电压,且可以降低太阳电池的串联电阻,提高输出功率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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