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> 技术详情
双面生长高效宽谱吸收多结太阳电池的制备方法
编号:S000032227
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-01
浏览:
2344
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明公开了一种双面生长高效宽谱吸收多结太阳电池的制备方法,其利用高深宽比位错捕获技术实现GaAs材料上InP外延以及GaAs系和InP系电池的单片集成,具体包括如下步骤:(1)在双面抛光的GaAs衬底的第一面上形成介质膜,并在其第二面上生长形成晶格匹配的GaAs/GaInP太阳能电池结构;(2)对衬底第二面进行保护,再在衬底第一面上加工形成纳米级介质掩膜图案;(3)在衬底第一面上生长形成InP薄膜,并将InP薄膜抛光至平整度达到外延级;(4)在衬底第一面上依次生长形成InGaAsP或InGaAsP/InGaAs太阳能电池结构以及电极接触层;(5)解除对衬底第二面的保护,获得目标产物。本发明工艺简洁,易于操作,且良品率高,有效解决了异质多结太阳电池中晶格失配和热失配对电池材料质量和性能的影响。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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