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一种制备p+掺杂层与n+前表面场的方法
编号:S000032082 刷新日期: 有效日期至:2020-10-30 浏览:2261 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种n型晶硅太阳能电池p+掺杂层与n+前表面场的制备方法,属于太阳能电池技术领域。该方法包括在n型晶硅衬底上沉积掺硼非晶硅层,形成第I中间产物;在所述第I中间产物的非晶硅层上沉积氮化硅保护层,形成第II中间产物;在所述第II中间产物的n型晶硅衬底前表面形成n+层,即前表面场形成第III中间产物;对所述第III中间产物进行高温退火,使n型晶硅衬底上形成p+发射结,形成第Ⅳ中间产物;将所述第Ⅳ中间产物氮化硅保护层和所述掺硼非晶硅除去,得到n型晶硅太阳能电池p+掺杂层与n+前表面场。该方法成本低,并且p+型掺杂的均匀性较好。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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