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非晶硅与多晶硅薄膜界面钝化及制备SPA结构HIT电池的方法
编号:S000032079 刷新日期: 有效日期至:2020-11-03 浏览:2192 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:能源与环保 - 太阳能利用
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法及应用该方法制备n型多晶硅薄膜SPA结构的HIT电池的方法,其中太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法,是采用等离子体增强化学气相沉积的方法,在通入腔室氢气的情况下,对太阳能电池的非晶硅与多晶硅薄膜界面进行钝化处理。氢等离子体界面处理可以降低多晶硅薄膜的表面态,从而使得SPA结构的HIT电池的非晶硅与多晶硅薄膜的界面态减少,使得光照下产生的光生载流子在界面处的复合减少,增加了光生载流子的收集,提高电池的转换效率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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